| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 15.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 62500 mW |
| 上升时间 | 5.00 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 21 ns |
| 额定功率(Max) | 56 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 62500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STGB6NC60HD 系列 600 V 15 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - D2PAK
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 7A - D2PAK非常快的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - D2PAK Very fast PowerMESH TM IGBT
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N沟道600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP非常快PowerMESH⑩ IGBT N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH⑩ IGBT
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IGBT 分立，STMicroelectronics IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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N沟道600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP非常快PowerMESH⑩ IGBT N-channel 600V - 7A - I2PAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Very fast PowerMESH⑩ IGBT
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