| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 420 V |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 6.6 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 2.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 分立，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
25 页 / 0.86 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.21 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
EAS 180毫焦耳 - 400 V - 内部钳位IGBT EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
