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STGE50NC60VD
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STGE50NC60VD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
描述:STMICROELECTRONICS  STGE50NC60VD  单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
PDF文件:STGE50NC60VD 数据手册 (14 页)封装尺寸在11 页12 页
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STGE50NC60VD 数据手册 (14 页)
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STGE50NC60VD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
针脚数4 Position
极性N-Channel
功耗260 W
上升时间17.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)4.55nF @25V
额定功率(Max)260 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)260 W
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STGE50NC60VD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度38.2 mm
宽度24.15 mm
高度12.2 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGE50NC60VD 数据手册

STGE50NC60VD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STGE50NC60 数据手册

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STMICROELECTRONICS  STGE50NC60WD  单晶体管, IGBT, 100 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
STGE50NC60VD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STGE50NC60VD  单晶体管, IGBT, 90 A, 2.5 V, 260 W, 600 V, ISOTOP, 4 引脚
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