STGF10NC60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-220-3
描述:	STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
PDF文件:	STGF10NC60KD 数据手册 (30 页)封装尺寸在11 页 12 页 13 页 14 页 15 页 16 页 17 页 18 页 19 页 20 页 21 页 22 页 23 页
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STGF10NC60KD 数据手册 (30 页)

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STGF10NC60KD 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	9.00 A
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
极性	N-Channel
功耗	25 W
上升时间	6 ns
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	22 ns
额定功率(Max)	25 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	25 W

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STGF10NC60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	16.4 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGF10NC60KD 符合标准

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