类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 25000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 22 ns |
额定功率(Max) | 25 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 25000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STGF10NC60HD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
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