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STGIPN3H60
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STGIPN3H60 数据手册 (22 页)
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STGIPN3H60 技术参数、封装参数

STGIPN3H60 外形尺寸、物理参数、其它

STGIPN3H60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
22 页 / 0.61 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
51 页 / 2.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
35 页 / 0.57 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
84 页 / 4.95 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.52 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte

STGIPN3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
智能功率模块 (IPM), 3相, IGBT, 600 V, 3 A, 1 kV, NDIP, SLLIMM
ST Microelectronics(意法半导体)
SLLIMM™ 智能电源模块,STMicroelectronics通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列,STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡,结合了出色的坚固性和 EMI 行为,它们可提高电动机驱动器应用的效率,使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装,具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。三相 IGBT 反相器桥接,包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V,额定值从 8A 到 35A 直流(25°C 时) 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值,用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅,提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器,用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGIPN3H60  智能电源模块, IGBT, 3A, 1KV, NDIP
ST Microelectronics(意法半导体)
SLLIMM™ 智能电源模块,STMicroelectronics通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列,STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡,结合了出色的坚固性和 EMI 行为,它们可提高电动机驱动器应用的效率,使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装,具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。三相 IGBT 反相器桥接,包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V,额定值从 8A 到 35A 直流(25°C 时) 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值,用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅,提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器,用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
智能功率模块 (IPM), 3相, IGBT, 600 V, 3 A, 1 kV, NDIP, SLLIMM
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