类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 125000 mW |
上升时间 | 7.00 ns |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 31 ns |
额定功率(Max) | 125 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
STGP19NC60KD 系列 N沟道 600 V 22 A 超快 PowerMESH IGBT - TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 20A - TO- 220中频的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBT
ST Microelectronics(意法半导体)
19 A - 600 V - 非常快速的IGBT 19 A - 600 V - very fast IGBT
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 19A - TO- 220超高速的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 19A - TO-220 Ultra fast PowerMESH IGBT
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 19A - TO- 220 - TO- 247超高速IGBT PowerMESH⑩ N-channel 600V - 19A - TO-220 - TO-247 Ultra fast PowerMESH⑩ IGBT
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件