| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 65 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 23.5 ns |
| 额定功率(Max) | 65 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 65000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT - 600 V 15 A 65 W 通孔 TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
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N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT
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