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STGPL6NC60D
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STGPL6NC60D 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:N沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT
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焊盘图
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STGPL6NC60D 数据手册 (17 页)
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STGPL6NC60D 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗56000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间50 ns
额定功率(Max)56 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)56000 mW
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STGPL6NC60D 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度9.15 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGPL6NC60D 数据手册

STGPL6NC60D 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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