| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 56000 mW |
| 输入电容 | 208 pF |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 热阻 | 62.5 ℃/W |
| 反向恢复时间 | 23 ns |
| 额定功率(Max) | 56 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 56000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
IGBT - 600 V 14 A 56 W 通孔 TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
ST Microelectronics（意法半导体）
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