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STGW20NB60KD
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STGW20NB60KD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:N沟道20A - 600V - TO- 247防短路PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH? IGBT
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STGW20NB60KD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流20.0 A
封装TO-247-3
功耗170 W
上升时间25.0 ns
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间80.5 ns
额定功率(Max)170 W
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STGW20NB60KD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGW20NB60KD 数据手册

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