| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 30.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 上升时间 | 11.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 0.45 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
51 页 / 2.12 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
35 页 / 2.4 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
STGW20NC60V 系列 600 V 30 A 法兰安装 极快速 IGBT - TO-247
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
