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STGW28IH125DF
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STGW28IH125DF 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
PDF文件:STGW28IH125DF 数据手册 (17 页)封装尺寸在12 页13 页14 页15 页
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焊盘图
引脚图
产品图
STGW28IH125DF 数据手册 (17 页)
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STGW28IH125DF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗375000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1250 V
额定功率(Max)375 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375000 mW
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STGW28IH125DF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGW28IH125DF 数据手册

STGW28IH125DF 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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