| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 260 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 650 V |
| 额定功率(Max) | 260 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 260000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 260 W 通孔 TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247
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