STGW35HF60WD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-247-3
描述:	IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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STGW35HF60WD 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
针脚数	3 Position
功耗	200 W
击穿电压(集电极-发射极)	600 V
反向恢复时间	50 ns
额定功率(Max)	200 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	200 W

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STGW35HF60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	15.75 mm
宽度	5.15 mm
高度	24.45 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW35HF60WD 符合标准

STGW35HF60WD 海关信息

STGW35HF60WD 概述

STGW35HF60WD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STGW35HF60WD 产品修订记录

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STGW35HF60 数据手册

STGW35HF60WD 数据手册

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IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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