| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 468000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 468 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 468000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 80 A 468 W 通孔 TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STGW40H120 系列 1200 V 40 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247
ST Microelectronics（意法半导体）
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