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STGW45NC60WD
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STGW45NC60WD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:45 A - 600 V超快IGBT 45 A - 600 V ultra fast IGBT
PDF文件:STGW45NC60WD 数据手册 (14 页)封装尺寸在11 页12 页
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焊盘图
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STGW45NC60WD 数据手册 (14 页)
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STGW45NC60WD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗285000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间45 ns
额定功率(Max)285 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)285000 mW
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STGW45NC60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STGW45NC60WD 数据手册

STGW45NC60WD 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STGW45NC60 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
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45 A - 600 V超快IGBT 45 A - 600 V ultra fast IGBT
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