类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
功耗 | 360000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 650 V |
额定功率(Max) | 360 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 360000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
60A,650V场截止沟槽栅IGBT,以及超快二极管
ST Microelectronics(意法半导体)
STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-3
ST Microelectronics(意法半导体)
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚
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