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STGW75M65DF2
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STGW75M65DF2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TO-247-3
描述:IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
PDF文件:STGW75M65DF2 数据手册 (17 页)
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焊盘图
引脚图
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STGW75M65DF2 数据手册 (17 页)
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STGW75M65DF2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗468 W
击穿电压(集电极-发射极)650 V
反向恢复时间165 ns
额定功率(Max)468 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)468000 mW
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STGW75M65DF2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGW75M65DF2 数据手册

STGW75M65DF2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.97 MByte
STGW75M65DF2 产品设计参考手册
ST Microelectronics（意法半导体）
51 页 / 2.12 MByte
STGW75M65DF2 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
35 页 / 2.4 MByte
STGW75M65DF2 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 0.99 MByte

STGW75M65 数据手册

STGW75M65DF2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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