类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 469 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 60 ns |
额定功率(Max) | 469 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 469000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 分立,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 1.55 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.18 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
30 页 / 0.31 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件