类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
功耗 | 468 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
额定功率(Max) | 468 W |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 468000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247 长引线
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT管/模块 STGWA40H120DF2 TO-247-3
ST Microelectronics(意法半导体)
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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