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STGWA40IH65DF 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
封装:
TO-247-3
描述:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.5 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STGWA40IH65DF 数据手册
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STGWA40IH65DF 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
238 W
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
额定功率(Max)
238 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
238000 mW
STGWA40IH65DF 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
STGWA40IH65DF 符合标准
STGWA40IH65DF 概述
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 238 W 通孔 TO-247 长引线
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示例:
STM32F103
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