Datasheet 搜索 > ST Microelectronics（意法半导体） > STGYA120M65DF2 Datasheet 文档
STGYA120M65DF2
来自 AiPCBA

STGYA120M65DF2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TO-247-3
PDF文件:STGYA120M65DF2 数据手册 (16 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STGYA120M65DF2 数据手册 (16 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STGYA120M65DF2 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗625000 mW
击穿电压(集电极-发射极)650 V
反向恢复时间202 ns
额定功率(Max)625 W
下降时间(Max)164 ns
上升时间(Max)48 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)625000 mW
查看数据手册 >

STGYA120M65DF2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

STGYA120M65DF2 数据手册

STGYA120M65DF2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.93 MByte
STGYA120M65DF2 产品设计参考手册
ST Microelectronics（意法半导体）
51 页 / 2.12 MByte
STGYA120M65DF2 开发手册
ST Microelectronics（意法半导体）
35 页 / 2.4 MByte

STGYA120M65 数据手册

STGYA120M65DF2AG 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
单晶体管, IGBT, 160 A, 1.65 V, 625 W, 650 V, MAX-247, 3 引脚
STGYA120M65DF2 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet