| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerVDFN-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 111 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 40 V |
| 上升时间 | 6.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2300pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 5.7 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 111 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5.4 mm |
| 宽度 | 6.2 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TA) |
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronics
●STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STL140N4F7AG 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 4 V 新
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