类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | PowerFLAT-5x6-8 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 80 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 40 V |
漏源击穿电压 | 40 V |
连续漏极电流(Ids) | 140A |
上升时间 | 29 ns |
输入电容值(Ciss) | 5900pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 4 W |
下降时间 | 21 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 80W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 4.75 mm |
宽度 | 5.75 mm |
高度 | 0.88 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STL140N4F7AG 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0021 ohm, 10 V, 4 V 新
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