STL150N3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	PowerVDFN-8
描述:	N沟道30 V ， 0.0016 I© ，十三条PowerFLATâ ?? ¢ （引脚6x5 ） STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0016 Î©, 33 A PowerFLATâ¢ (6x5) STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET
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STL150N3LLH6 数据手册 (12 页)

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STL150N3LLH6 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	8 Pin
封装	PowerVDFN-8
功耗	80W (Tc)
漏源极电压(Vds)	30 V
上升时间	18 ns
输入电容值(Ciss)	4040pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	80 W
下降时间	46 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	80W (Tc)

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STL150N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STL150N3LLH6 符合标准

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N沟道30 V ， 0.0016 I© ，十三条PowerFLATâ ?? ¢ （引脚6x5 ） STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0016 Î©, 33 A PowerFLATâ¢ (6x5) STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET

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