| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | PowerFlat-4 |
| 漏源极电阻 | 0.21 Ω |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 125W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18A |
| 上升时间 | 9 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1060pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 125 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.83 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
600V,0.186Ω,18A,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N-沟道 600 V 220 mOhm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 MOSFET-PowerFLAT 8x8 HV
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
