| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PowerVDFN-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 0.0038 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 90A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1690pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 6 mm |
| 高度 | 0.78 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.56 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.68 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
16 页 / 0.66 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
