类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 32 MHz |
引脚数 | 64 Pin |
封装 | LQFP-64 |
RAM大小 | 10 KB |
ADC数量 | 1 ADC |
工作温度(Max) | 85 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 444 mW |
数模转换数 | 2 DAC |
电源电压 | 1.8V ~ 3.6V |
电源电压(Max) | 3.6 V |
电源电压(Min) | 1.8 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10 mm |
宽度 | 10 mm |
高度 | 1.45 mm |
工作温度 | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
STM32L100 系列微处理器,STMicroelectronics
●STMicroelectronics
● STM32L 100 超值型
●是一个超低功率 MCU ,带实时时钟、16位计时器、通信接口,例如 SPI、I2C、USART、USB、12 位 ADC 和 LCD 驱动器接口。 基于 ARM 的 Cortex 处理器入门级系列操作电源为 1.8 至 3.6 V,所有 STM32 L1 微控制器共享相同体系结构,带引脚到引脚兼容性。
●闪存:64 Kb;SDRAM :8 Kb
●STM32 L1:动态电压比例;超低功耗时钟振荡器;LCD 驱动器(高达 8x28 段);比较器;DAC 和硬件加密
●温度范围:- 40 至 +85°C
●### STM32L1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics
●基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用 ST 专有超低泄漏工艺技术,具有创新自主的动态电压调节和五个 (5) 低功耗模式,提供了前所未有的平台灵活性以适用任何应用场合。 STM32 L1 系列延伸了超低功耗概念,同时不影响性能。
●超低功耗模式:300nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚)
●超低功耗模式 + 实时时钟 (RTC):900nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚)
●低功耗运行模式:低至 9μA
●动态运行模式:低至 230μA/MHz
ST Microelectronics(意法半导体)
102 页 / 1.68 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
110 页 / 1.73 MByte
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STM32L100RBT6 微控制器, 32位, ARM 皮质-M3, 32 MHz, 128 KB, 10 KB, 64 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STM32L100RBT6A 微控制器, 32位, 超低功率, ARM 皮质-M3, 32 MHz, 128 KB, 16 KB, 64 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STM32L 系列 128 KB 闪存 10 kB RAM 32-位 表面贴装 微控制器 - LQFP-64
ST Microelectronics(意法半导体)
STM32L100 系列微处理器,STMicroelectronicsSTMicroelectronics** STM32L 100 超值型**是一个超低功率 MCU ,带实时时钟、16位计时器、通信接口,例如 SPI、I2C、USART、USB、12 位 ADC 和 LCD 驱动器接口。 基于 ARM 的 Cortex 处理器入门级系列操作电源为 1.8 至 3.6 V,所有 STM32 L1 微控制器共享相同体系结构,带引脚到引脚兼容性。 闪存:64 Kb;SDRAM :8 Kb STM32 L1:动态电压比例;超低功耗时钟振荡器;LCD 驱动器(高达 8x28 段);比较器;DAC 和硬件加密 温度范围:- 40 至 +85°C ### STM32L1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用 ST 专有超低泄漏工艺技术,具有创新自主的动态电压调节和五个 (5) 低功耗模式,提供了前所未有的平台灵活性以适用任何应用场合。 STM32 L1 系列延伸了超低功耗概念,同时不影响性能。超低功耗模式:300nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 超低功耗模式 + 实时时钟 (RTC):900nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 低功耗运行模式:低至 9μA 动态运行模式:低至 230μA/MHz
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