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STM32L151VBT6TR 数据手册 (133 页)
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STM32L151VBT6TR 技术参数、封装参数

STM32L151VBT6TR 外形尺寸、物理参数、其它

STM32L151VBT6TR 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
133 页 / 2.03 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
43 页 / 2.79 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
911 页 / 12.99 MByte
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283 页 / 3.42 MByte
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24 页 / 1.06 MByte
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16 页 / 0.81 MByte

STM32L151VBT6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STM32L151 系列微处理器,STMicroelectronicsSTMicroelectronics **STM32L151** 系列微控制器采用 ARM Cortex-M3 32 位芯。 适用于各种便携式/电池供电应用,如游戏、报警系统、计量和医疗设备和用于物联网 (IoT) 的远程传感器。32MHz ARM Cortex-M3 芯超低功耗微控制器 高达 128KB 闪存,带 ECC 高达 16KB RAM 4KB 真 EEPROM,带 ECC 循环冗余检查 (CRC) 计算装置用于存储验证 串行接口:USART、SPI、I²C、USB 高达 24 通道 12 位 ADC 2 x 12 位 DAC 实时时钟 (RTC),带备份寄存器 高达 20 倍电容式感应通道 电源:+1.8V 至 +3.6V 直流 7 x 低功率模式:睡眠、低功耗运行、低功耗睡眠、止动 RTC、非止动 RTC、待机 RTC、非待机 RTC 工作温度范围:-40 至 +85°C ### STM32L1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用 ST 专有超低泄漏工艺技术,具有创新自主的动态电压调节和五个 (5) 低功耗模式,提供了前所未有的平台灵活性以适用任何应用场合。 STM32 L1 系列延伸了超低功耗概念,同时不影响性能。超低功耗模式:300nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 超低功耗模式 + 实时时钟 (RTC):900nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 低功耗运行模式:低至 9μA 动态运行模式:低至 230μA/MHz
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STM32L1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics基于 ARM® Cortex™-M3 的 STM32 L1 系列采用 ST 专有超低泄漏工艺技术,具有创新自主的动态电压调节和五个 (5) 低功耗模式,提供了前所未有的平台灵活性以适用任何应用场合。 STM32 L1 系列延伸了超低功耗概念,同时不影响性能。超低功耗模式:300nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 超低功耗模式 + 实时时钟 (RTC):900nA,带备份寄存器(3 个唤醒引脚) 低功耗运行模式:低至 9μA 动态运行模式:低至 230μA/MHz
ST Microelectronics(意法半导体)
ARM Cortex-M3 32MHz 闪存:128K@x8bit RAM:16KB
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