| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | TO-261-4 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 1.1 Ω |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 上升时间 | 5.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 90pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 12.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STN1NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
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STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
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N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 通道800V - 16欧姆 - 0.2A - SOT- 223的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 800V - 16 ohm - 0.2A - SOT-223 PowerMESH] MOSFET
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N沟道600V - 12ohm - 0.3A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast Switching
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