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STN1NK80Z
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STN1NK80Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:STMICROELECTRONICS  STN1NK80Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
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STN1NK80Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流250 mA
封装TO-261-4
针脚数4 Position
漏源极电阻13 Ω
极性N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压3.75 V
输入电容160 pF
栅电荷7.70 nC
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)250 mA
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)160pF @25V(Vds)
额定功率(Max)2.5 W
下降时间55 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Tc)
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STN1NK80Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.8 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STN1NK80Z 数据手册

STN1NK80Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STN1NK80Z 产品修订记录
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