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STN2NE10L
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STN2NE10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:N沟道100V - 0.33Ω -2A - SOT- 223 N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223
PDF文件:STN2NE10L 数据手册 (12 页)封装尺寸在9 页10 页
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STN2NE10L 数据手册 (12 页)
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STN2NE10L 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流1.80 A
封装TO-261-4
漏源极电阻400 mΩ
极性N-Channel
功耗2.5W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)2.00 A
上升时间17 ns
输入电容值(Ciss)345pF @25V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Tc)
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STN2NE10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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STN2NE10L 数据手册

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