类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 100 V |
额定电流 | 2.00 A |
封装 | TO-261-4 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.23 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.3 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 100 V |
漏源击穿电压 | 100 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 280pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.3 W |
下降时间 | 3 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.3W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN2NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast switching NPN power transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.33Ω -2A - SOT- 223 N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.33欧姆 - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
AUK Semiconductor(韩国光电子)
STN2907AS PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 250MHz 75 -400mV/-0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 WA 低集电极饱和电压/开关
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.1欧姆 - 2A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.18ohm - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.18ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
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