| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 4.00 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 针脚数 | 4 Position |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.3 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 315 pF |
| 栅电荷 | 10.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 315pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 3.3 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3.3W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN3N40K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 400 V, 3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN3NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 60 V, 0.07 ohm, 20 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN3N45K3 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 450 V, 3.2 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN3PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.08ohm- 3A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
AUK Semiconductor（韩国光电子）
STN3906S PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 JA 小信号放大器
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 60V - 0.10欧姆 - 3A - SOT- 223 STripFETO功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A - SOT-223 STripFETO POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STN3NF10 N沟道MOSFET 30V 4A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 STN3NF 高速开关/低导通电阻
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