类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 6.50 A |
封装 | TO-261-4 |
额定功率 | 3.3 W |
针脚数 | 4 Position |
漏源极电阻 | 0.039 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.3 W |
阈值电压 | 1 V |
输入电容 | 330 pF |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
漏源击穿电压 | 30.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.50 A |
上升时间 | 100 ns |
输入电容值(Ciss) | 330pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.3 W |
下降时间 | 22 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3300 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.5 mm |
宽度 | 3.5 mm |
高度 | 1.8 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N沟道30V - 0.039ohm - 6.5A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.039ohm - 6.5A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
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