| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 115 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.75 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 115 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1370pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 115 W |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 115000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP10NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.65OHM - 10A - I2 / D2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247齐纳保护超网TM功率MOSFET N-channel 600V - 0.65OHM - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH TM Power MOSFET
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