STP10P6F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值）， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STP10P6F6 数据手册 (60 页)

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STP10P6F6 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-220-3
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.13 Ω
极性	P-CH
功耗	30 W
漏源极电压(Vds)	60 V
连续漏极电流(Ids)	10A
上升时间	5.3 ns
输入电容值(Ciss)	340pF @48V(Vds)
额定功率(Max)	35 W
下降时间	3.7 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	30W (Tc)

STP10P6F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	175℃ (TJ)

STP10P6F6 符合标准

STP10P6F6 海关信息

STP10P6F6 概述

STP10P6F6 数据手册

STP10P6F6 产品设计参考手册

ST Microelectronics（意法半导体）

60 页 / 4.35 MByte

STP10P6F6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.5 MByte

STP10P6F6 开发手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.33 MByte

STP10P6F6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

24 页 / 1.17 MByte

STP10P6F6 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STP10P6 数据手册

STP10P6F6 数据手册

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P沟道60 V ， 0.15 I© （典型值）， 10 A STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET采用DPAK和TO- 220封装 P-channel 60 V, 0.15 Î© typ., 10 A STripFETâ¢ VI DeepGATEâ¢ Power MOSFET in DPAK and TO-220 packages

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