类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 5.6 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 200 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 80 V |
漏源击穿电压 | 80 V |
连续漏极电流(Ids) | 110A |
上升时间 | 61 ns |
输入电容值(Ciss) | 9130pF @40V(Vds) |
下降时间 | 48 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 15.75 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET
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STP110N8F7 系列 80 V 80 A 7.5 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - TO-220-3
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