| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.52 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 输入电容 | 1390 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1390pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 30 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道500V - 0.48ohm - 10A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NK50ZFP 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP11NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
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