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STP12NK30Z
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STP12NK30Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  STP12NK30Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
PDF文件:STP12NK30Z 数据手册 (8 页)原理图在1 页
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STP12NK30Z 数据手册 (8 页)
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STP12NK30Z 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)300 V
额定电流9.00 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.4 Ω
极性N-Channel
功耗90 W
阈值电压3.75 V
输入电容670 pF
漏源极电压(Vds)300 V
漏源击穿电压300 V
栅源击穿电压±30.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)670pF @25V(Vds)
额定功率(Max)90 W
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)90W (Tc)
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STP12NK30Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STP12NK30Z 数据手册

STP12NK30Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.27 MByte
STP12NK30Z 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
STP12NK30Z 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte

STP12NK30 数据手册

STP12NK30Z 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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