类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 290 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
输入电容 | 880 pF |
栅电荷 | 30.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±25.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
上升时间 | 15 ns |
隔离电压 | 2.50 kV |
输入电容值(Ciss) | 940pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 100 W |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500 V, 0.29 Ω , 11一个的MDmesh ?二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
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N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
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