| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -12.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 180 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 阈值电压 | 3.4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 40 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 850pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
通孔 P 通道 60 V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 750 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12NK30Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 300 V, 400 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP12PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 10 A, -60 V, 0.18 ohm, 10 V, 3.4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11一个的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO- 220FP N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220 - DPAK - D2PAK - I2PAK - TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1.2 kV, 0.62 ohm, 10 V, 4 V
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