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STP13N95K3
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STP13N95K3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:STMICROELECTRONICS  STP13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STP13N95K3 数据手册 (15 页)
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STP13N95K3 数据手册 (15 页)
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STP13N95K3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.68 Ω
极性N-Channel
功耗190 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)950 V
连续漏极电流(Ids)10A
上升时间16 ns
输入电容值(Ciss)1620pF @100V(Vds)
额定功率(Max)190 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)190W (Tc)
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STP13N95K3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
宽度4.6 mm
高度15.75 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STP13N95K3 数据手册

STP13N95K3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.63 MByte
STP13N95K3 产品设计图
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.09 MByte
STP13N95K3 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.01 MByte

STP13N95 数据手册

STP13N95K3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STP13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V
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