| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.008 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5300pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 45 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 15.75 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.46 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
20 页 / 2.6 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.16 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
