| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0075 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 310 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 5000 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 75 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 A |
| 上升时间 | 140 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 310 W |
| 下降时间 | 90 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 310W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
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N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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