类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 16.0 A |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 45 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.07 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 45 W |
阈值电压 | 1 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
上升时间 | 37 ns |
输入电容值(Ciss) | 345pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 45 W |
下降时间 | 12.5 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 4.6 mm |
高度 | 9.15 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP16NF06L.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 16A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STP16NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.07欧姆 - 16A TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 16A - TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET
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