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STP185N10F3
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STP185N10F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET
PDF文件:STP185N10F3 数据手册 (12 页)封装尺寸在7 页8 页9 页
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STP185N10F3 数据手册 (12 页)
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STP185N10F3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗300W (Tc)
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)120A
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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STP185N10F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STP185N10F3 数据手册

STP185N10F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STP185N10 数据手册

STP185N10F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100 V， 4.0毫欧， 120 A， D2PAK ， TO- 220的STripFET ™功率MOSFET N-channel 100 V, 4.0 mΩ, 120 A, D2PAK, TO-220 STripFET™ Power MOSFET
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