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STP185N55F3
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STP185N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
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STP185N55F3 数据手册 (14 页)
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STP185N55F3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性N-CH
功耗330000 mW
输入电容6800 pF
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)120A
上升时间150 ns
输入电容值(Ciss)6800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)330 W
下降时间50 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)330W (Tc)
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STP185N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.4 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STP185N55F3 数据手册

STP185N55F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STP185N55F3 其他数据使用手册
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