| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 19.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 150 mΩ |
| 功耗 | 125W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1000pF @25V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 125W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
ST Microelectronics（意法半导体）
12 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.15ohm - 19A - TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
